实现顶级1低导通电阻性能
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品,“TK14A65W”已经推出,并计划于2013年8月全面投入量产。
该系列采用最新的单外延工艺打造,其每单位面积导通电阻(Ron·A)较现有的650V“DTMOS II”系列产品约降低了50%2,这就使之能够采用紧凑封装,有助于提高功效,缩小产品的集成尺寸。
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主要规格 |
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产品型号 |
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封装 |
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绝对最大额定值 |
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RDS(ON) 最大值 |
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Qg |
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Ciss |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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VGS=10V |
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TK14A65W |
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TO-220SIS |
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650 |
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13.7 |
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0.25 |
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35 |
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1300 |
注:
[1] 截至2013年7月。东芝公司的研究。
[2] 与"TK17A65U"对比。
有关该产品的更多信息,敬请查看产品页面:http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324030_37649.html
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东芝650V系统DTMOS IV系列“TK14A65W”(照片:美国商业资讯)