可将导通电阻降低约24%

东京--（美国商业资讯）--东芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”，并计划于2013年8月投入量产。

通过优化芯片设计，可将其每单位面积导通电阻（Ron·A）较同类产品¹约降低24%；而门极电荷（Q_g）性能降低约24%，则可将关断时间（t_off）改善约28%。

注：
1. 与“2SK3878”对比。

有关该产品的更多信息，敬请查看产品页面：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324090_37649.html

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东芝的高压MOSFET“TK9J90E”。（照片：美国商业资讯）