东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器,用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。
新产品“TLP5701”(用于驱动小功率IGBT)和“TLP5702”(用于驱动中等功率IGBT)是首批使用低高度SO6L封装的东芝光电耦合器。只有54%的东芝产品使用SDIP6封装,这些新设备将有助于更薄产品的开发。虽然拥有低高度,但是这些设备可以确保8毫米爬电距离,使它们适用于需要较高隔离规格的应用。
通过利用BiCMOS工艺技术,“TLP5701”和“TLP5702”可实现2.0mA(最大)低供电电流和低功耗。通过与原先的大功率、高可靠性红外线LED结合,它们可以应用于广泛的应用,包括需要高热稳定性的应用(例如工厂自动化和家用光伏电力系统、数码家电和控制设备)。最大传输延迟时间和传输延迟偏差在定义的工作温度范围(最高110摄氏度)内可以获得保证,因此能够减少逆变电路的停滞时间,从而可以确保更高的运行效率。
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新产品的主要规格 |
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产品型号 |
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TLP5701 |
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TLP5702 |
峰值输出电流 |
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IOP=±0.6A(最大) |
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IOP=±2.5A(最大) |
供电电压 |
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Vcc=10V至30V |
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Vcc=15V至30V |
供电电流 |
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Icc=2.0mA(最大) |
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阀值输入电流 |
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IFLH=5mA(最大) |
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传输延迟时间 |
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tpLH/tpHL=500ns(最大) |
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tpLH/tpHL=200ns(最大) |
传输延迟偏差 |
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tpsk=-80至80ns |
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爬电距离 |
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8毫米(最小) |
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隔离电压 |
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BVs=5000Vrms |
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工作温度范围 |
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Topr=-40℃至110℃ |
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应用 |
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用于驱动小功率IGBT(最大20A等级)和功率MOSFET。 |
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用于驱动中等功率IGBT(最大80A等级)和功率MOSFET。 |
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http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/opto/coupler/index.html
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东芝低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器(照片:美国商业资讯)