东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容-文传商讯-中国领先的企业新闻稿

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东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

发布时间：2014-06-04 15:19

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO: 6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。

SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%（东芝调查）。

SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压和高电流下也是如此，因为它们在运行时能够大幅减少散热。它们符合对体积更小、效率更高的通讯设备的各种行业需求，同时适用于从服务器到逆变器的各种行业应用。


新产品的主要规格
产品型号	反向重复峰值电压(VRRM) (V)	中频(IF) (A)	反馈电压(VF) (V)	反向重复峰值电流(IRRM) (μA)	封装
产品型号	反向重复峰值电压(VRRM) (V)	中频(IF) (A)	典型值/最大值	典型值/最大值	封装
TRS6A65C	650	6	1.5 / 1.7	0.3 / 90	TO-220F-2L
TRS8A65C	650	8	1.5 / 1.7	0.4 / 90
TRS10A65C	650	10	1.5 / 1.7	0.42 / 90
TRS12A65C	650	12	1.54 / 1.7	0.45 / 90


现有阵容
产品型号	VRRM (V)	IF (A)	VF (V)	IRRM (μA)	封装
产品型号	VRRM (V)	IF (A)	典型值/最大值	典型值/最大值	封装
TRS6E65C	650	6	1.5 / 1.7	0.3 / 90	TO-220-2L
TRS8E65C	650	8	1.5 / 1.7	0.4 / 90
TRS10E65C	650	10	1.5 / 1.7	0.42 / 90
TRS12E65C	650	12	1.54 / 1.7	0.45 / 90
TRS12N65C	650	12	1.5 / 1.7	0.3 / 90	TO-247
TRS16N65C	650	16	1.5 / 1.7	0.4 / 90
TRS20N65C	650	20	1.5 / 1.7	0.42 / 90
TRS24N65C	650	24	1.5 / 1.7	0.43 / 90

如需东芝碳化硅肖特基势垒二极管的更多信息，请点击以下链接。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/sic/index.html

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关于东芝

东芝是一家全球领先的多元化制造商、解决方案提供商以及先进电子电气产品及系统的营销商。东芝集团将创新和想象力带入广泛的业务之中，包括：LCD电视、笔记本电脑、零售解决方案和多功能一体机（MFP）在内的数码产品；半导体、存储产品和材料在内的电子器件；发电系统、智能社区解决方案、医疗系统以及扶手电梯和升降机在内的工业及社会基础设施系统，以及家用电器。

东芝成立于1875年，如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业，全球拥有206,000名员工，年销售额逾5.8万亿日元（610亿美元）。更多信息请访问东芝网站：www.toshiba.co.jp/index.htm

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