东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。

新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比，新产品的高度仅为前者的54%，安装面积仅为前者的43%，有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低，但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压，适用于对绝缘规格要求较高的应用。

电气特性方面，新款光电耦合器拥有轨到轨输出，在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流，以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED，适用于多种应用，包括需要高度热稳定性的应用，例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

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东芝：采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器（照片：美国商业资讯）