致力于通过新一代“TaRF6”工艺改善智能手机的性能

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，该公司已面向支持LTE-Advanced技术的智能手机开发出SP12T^[1]射频(RF)天线开关集成电路(IC)，实现业内最低水平的插入损耗^[2,4]和射频失真^[3,4]。样品出货即日启动。

随着移动通信技术的普及，射频频带和数据传输速率的量也正显著增加。对移动设备射频电路中所使用的天线开关IC的要求正逐渐朝着多端口，以及改善射频性能的方向发展。此外，为了满足新兴市场高数据传输速率移动通信设备急剧增长的要求，以具有成本效益的方式来改善这些射频性能实属必要。

为了响应这些要求，东芝现已开发出新一代采用绝缘体上硅(SOI)技术^[6]的TarfSOI^TM（东芝高级射频SOI技术）^[5]工艺“TaRF6”。TarfSOI^TM实现了将模拟、数字和射频电路集成于单一芯片的目标。相比其它的传统解决方案，例如砷化镓(GaAs)，该工艺提供了一种高性价比解决方案，支持高度复杂的切换功能和射频性能。

借助“TaRF6”新工艺，为射频开关应用定制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已被开发并应用于新型SP12T射频天线开关IC中，从而带来0.42dB插入损耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次谐波失真^[7]的性能。与之前的“TaRF5”工艺相比，插入损耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB，二次谐波失真降低18dB。较低的插入损耗可降低智能手机的功耗，而较低的谐波失真则有利于开发需要低失真的载波聚合^[8]智能手机。

东芝将于今年年底扩大采用具有低插入损耗和低失真的“TaRF6”工艺的产品阵容，以满足全球正在部署的长期演进(LTE)技术所需的多端口和复杂功能的要求，而LTE-Advanced^[9]技术有望紧随其后。此外，东芝正考虑提供采用TarfSOI^TM技术的SOI晶圆代工服务。

如需了解有关东芝射频天线开关IC的更多信息，请点击以下链接：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/rf/rf_sw/index.html

客户垂询：
小型信号设备销售和营销部
电话：+81-3-3457-3411

本新闻稿中的信息，包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况，如有变动，恕不另行通知。

关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域：能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件，以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务，并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业，全球拥有超过200,000名员工，年销售额逾6.5万亿日元（630亿美元）。
 

更多信息请访问东芝网站：www.toshiba.co.jp/index.htm

图片/多媒体资料库可以从以下网址获得：http://www.businesswire.com/multimedia/home/20140910005352/en/

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式：

媒体垂询：
东芝公司
半导体&存储产品公司
Koji Takahata, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

SP12T的插入损耗特性曲线（图示：美国商业资讯）

东芝：SP12T射频天线开关集成电路 （照片：美国商业资讯）