日本大阪--(美国商业资讯)--松下公司今日宣布将推出业界最小的增强型[1]氮化镓(GaN)[2]功率晶体管(X-GaN^TM)**封装。GaN封装采用8x8双平面无引线(DFN)表面粘装型封装。可将该封装安装在传统上难以安装的极小区域，有助于降低工业和消费电子设备的功耗。

这一智能新闻稿包含多媒体。点击此处查看完整发布：http://www.businesswire.com/news/home/20150517005082/en/

*:截至2015年5月18日，根据松下公司调查，该600-V增强型GaN功率晶体管的占用空间。
**:X-GaN是松下公司的商标。

增强型晶体管的击穿电压为600V，该产品实现200V/ns的高速开关和54—154mΩ的低导通电阻[3]。松下公司将于2015年7月启动10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)产品样品出货。

功率晶体管是用于控制电源的半导体器件。GaN是性能卓越的半导体化合物之一。当将它应用于晶体管时，可实现比硅(Si)和碳化硅(4H-SiC)更卓越的开关性能和更高的击穿电压。

我们的传统型GaN功率晶体管采用高导热表面贴装型封装TO220（尺寸：15 x 9.9 x 4.6mm），然而该封装还不够小，而且电子设备印刷电路板上的安装面积十分有限。

使用表面贴装型封装时，寄生电感[4]降低，因此，可在600V高电压下以8 x 8 x 1.25mm的更小尺寸实现GaN功率晶体管的内在特征和出色的开关性能。功率晶体管正被快速引入电子设备中，它有助于降低能耗。

该产品将亮相2015年5月19-21日于德国纽伦堡举行的2015年度电力转换与智能运动展览会(PCIM 2015)。 

[产品特点]

1. 其采用新开发的全球最小GaN表面贴装型封装DFN 8x8（8 x 8 mm x 1.25 mm，其占用空间仅为公司传统TO-220封装产品的43%），专为GaN功率晶体管优化。
2. 表面贴装型封装的采用降低了寄生电感，实现200V/ns的高速开关性能。
3. 在6英寸硅衬底上实现的松下原创栅极注入晶体管(GIT)[5]实现了增强型模式。

GaN功率晶体管更便于应用于AC-DC电源装置（功率因数校正、隔离DC-DC转换器）、电池充电系统、PV功率调节器和EV逆变器。

松下公司拥有200项国内专利和180项海外专利，其中包括一些待审批的发明申请，例如，松下原创的GIT结构的基本专利US 8779438和利用常关操作的驱动系统的基本专利US 8299737。

这项工作部分受到日本新能源和工业技术发展组织(NEDO)之“节能技术项目战略发展”计划的支持。

GaN产品网页：
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/

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业界最小的增强型600V GaN功率晶体管封装（图示：美国商业资讯）