-适用于电源关键型应用的超低功耗闪存嵌入式逻辑工艺，以及适用于低成本应用的单栅非易失性存储器(NVM)[1]嵌入式工艺-

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，该公司已基于使用小于当前主流技术功率的65纳米逻辑工艺开发了闪存嵌入式工艺，以及基于130纳米逻辑及模拟电源工艺开发了单栅非易失性存储器(NVM)工艺。将最佳工艺用于不同应用将使东芝能够扩大其在微控制器、无线通信集成电路(IC)、电机控制驱动器和电源IC等领域的产品阵容。
130纳米非易失性存储器和65纳米闪存的样品出货计划分别于2015年第四季度和2016年第二季度启动。

目前，物联网(IoT)市场在部分领域对低功耗有着强劲的需求，包括可穿戴和医疗保健相关的设备。作为回应，东芝采用了SST^[2]的第三代SuperFlash^®电池技术，以及其自有的65纳米逻辑工艺技术。该公司还拥有微调电路和制造工艺，用于开发其超低功耗闪存嵌入式逻辑工艺。采用这种工艺的微控制器面向消费和工业应用推出，可将功耗降低至当前主流技术的约60%。

继首个系列的微控制器之后，东芝计划于2016财年推出短距离无线技术——蓝牙低功耗(BLE)产品——的样品。该公司还计划将65纳米工艺应用于其无线通信IC产品系列，包括近场通信(NFC)控制器和非接触式卡。这些无线通信IC产品系列可优化利用低功耗特征。

除了具备低功耗优势外，该加工技术还有助于缩短开发时间，因为开发过程中应用软件能够轻松写入和重新写入闪存。

通过对提供超低功耗的设备进行工程改造，以进一步促进专门的闪存外围电路技术及逻辑和模拟电路技术的开发，东芝将满足市场对低功耗应用持续增长的需求。该公司致力于以50μA/MHz操作为目标降低整个系统的功耗，以及面向物联网开发创新产品。

在关心成本是否显著降低的应用方面，东芝已开发了一种NVM嵌入式工艺，这种工艺将YMC^[3]的单栅多次编程(MTP)电池应用于东芝的130纳米逻辑工艺技术中。
采用针对写入时间的MTP规格可改善新工艺的性能，同时将掩膜图案光刻中增加的步数限制在三步或更少，甚至为零。
NVM和模拟电路嵌在单一芯片上，可将多芯片系统通常执行的多个功能整合。此举可减少终端数量，以及实现更小型化封装。
通过利用MTP来调整输出精度，东芝将扩大其在高精度至关重要的领域的产品阵容，例如电源管理IC。

注释：
[1] NVM：非易失性存储器。
[2] SST：美国超捷半导体。美国微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的全资子公司。
[3] YMC Inc.：亿而得微电子公司。一家台湾的IP开发公司。

* SuperFlash^®是美国微芯科技公司在美国及其他国家的注册商标。

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