--创新的3D堆叠式结构提高容量和性能—

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日推出新一代BiCS FLASH™，一款三维(3D)堆叠式结构闪存^*1。该新器件是全球首款^*2256千兆（32千兆字节）48层BiCS器件，同时部署了行业领先的3-bit-per-cell（三阶存储单元，TLC）技术。样品发货将于9月开始。

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BiCS FLASH^TM基于最尖端的48层层叠工艺，该工艺超越主流二维NAND闪存的容量，同时提高写入/擦除次数可靠性并提高写入速度。这款全新的256Gb器件适合各种应用，包括消费级固态硬盘(SSD)、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。

自从2007年6月推出BiCS FLASH^TM原型技术以来，东芝一直继续致力于优化大批量生产的研发。为满足2016年及以后闪存市场的长足发展需求，东芝将推出主要瞄准大容量应用领域（如SSD）的产品组合，以此积极促进向BiCS FLASH™的过渡。

长期以来，东芝一直致力于闪存业务，目前，东芝正在其NAND闪存生产基地四日市业务部(Yokkaichi Operations)为新晶圆厂(Fab2)的BiCS FLASH™大批量生产做准备。Fab2将于2016年上半年完工。

*1：一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），极大地提高了密度。
*2：截至2015年8月4日。东芝调查。
* BiCS FLASH是东芝公司的商标。

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东芝研发全球首款256Gb、48层BiCS FLASH(TM)（照片：美国商业资讯）