- 与广泛使用的串行外设接口兼容 -
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日面向嵌入式应用推出新系列NAND闪存产品，新产品与广泛使用的串行外设接口(SPI)兼容。新的“串行接口NAND”应用十分广泛，包括诸如平板电视、打印机和可穿戴设备等消费类应用以及诸如机器人等工业应用。该系列产品阵容强大，共提供12种产品供用户选择，这些产品提供1Gbit、2Gbit和4Gbit三种存储密度；WSON[1]和SOP[2]两种封装以及两种电源电压。样品发货即日启动，12月计划开始1Gbit产品的批量生产。随后将启动该系列其余产品的批量生产。
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新的“串行接口NAND”与广泛使用的SPI兼容，只需使用6个引脚进行控制，因而可被用作SLC NAND闪存，支持少引脚数量、小型封装和大容量。
NOR闪存通常应用于面向消费类设备和工业设备的嵌入式应用。然而，为了在嵌入式设备中实现额外的功能，需要更大的存储密度来保存软件（如启动程序、固件和嵌入式操作系统）和数据（如日志数据）。这促使对SLC NAND闪存的需求增加，与NOR闪存相比，SLC NAND闪存提供更大的存储密度和可靠性且成本更低。
东芝向其产品阵容中增添该“串行接口NAND”，旨在满足广泛的市场需求并拓展NAND闪存市场。
注
[1] WSON：超超薄型小外形无引线封装
[2] SOP：小外形封装
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新产品概述： |
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产品型号 |
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存储密度 |
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I/O |
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电压 |
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封装 |
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量产时间 |
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TC58CVG0S3HRAIF |
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1Gbit |
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x1、x2、x4 |
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3.3V |
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WSON |
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2015年12月 |
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TC58CVG0S3HQAIE |
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SOP |
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2015年12月 |
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TC58CYG0S3HRAIF |
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1.8V |
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WSON |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CYG0S3HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CVG1S3HRAIF |
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2Gbit |
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3.3V |
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WSON |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CVG1S3HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CYG1S3HRAIF |
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1.8V |
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WSON |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CYG1S3HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CVG2S0HRAIF |
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4Gbit |
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3.3V |
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WSON |
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2015年12月 |
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TC58CVG2S0HQAIE |
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SOP |
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2015年12月 |
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TC58CYG2S0HRAIF |
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1.8V |
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WSON |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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TC58CYG2S0HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季度（1月—3月） |
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新产品的主要特性： |
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1. |
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采用SLC NAND专用24纳米尖端工艺技术。 |
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2. |
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与广泛使用的SPI兼容，可通过较少的引脚数量（6引脚）进行控制。 |
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3. |
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支持多样化小型封装。6.0mm×8.0mm的WSON封装以及10.3mm×7.5mm的SOP封装。 BGA[3]封装产品也在开发中，计划于2016年第一季度（1月—3月）启动样品发货。封装和引脚分配与常见的串行闪存兼容。 |
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4. |
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搭载位翻转计数报告功能的嵌入式ECC（错误校正码）。 |
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5. |
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嵌入式数据保护功能。 |
注
[3] BGA：球栅阵列封装。6.0mm×8.0mm、5ball×5ball封装。
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新产品的主要规格： |
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存储密度 |
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1Gbit / 2Gbit / 4Gbit |
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内存页面大小 |
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2KByte (1Gbit, 2Gbit)、4KByte (4Gbit) |
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接口 |
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串行外设接口，Mode 0、Mode 3 |
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I/O |
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x1、x2、x4 |
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电压 |
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2.7-3.6V、1.7-1.95V |
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工作温度范围 |
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-40oC-85oC |
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封装 |
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• 8引脚WSON (6mm × 8mm)封装 |
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其它 |
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• 高速顺序读取功能 |
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客户垂询：
移动存储器销售与营销部
电话：+81-3-3457-3401
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关于东芝
东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域：能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件，以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝竭力推动全球业务，并致力于实现一个让子孙后代可以享有更美好生活的世界。
东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着580多家附属公司的环球企业，全球拥有超过199,000名员工，年销售额逾6.6万亿日元（550亿美元）。
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东芝：串行接口NAND（照片：美国商业资讯）
