–将通过建造内存研发中心加强闪存开发–

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今天公布了在日本三重县四日市业务部建造最先进生产工厂的大概时间表，旨在扩大其专有3D闪存^[1] BiCS FLASH^TM的产量。

继其于3月份公布有意新建一座BiCS FLASH™工厂之后，该公司决定于2017年2月开始施工。新的晶圆厂将专注于3D闪存工艺。与晶圆生产工厂Fab 5一样，它也将分两阶段建设，以根据市场趋势优化投资速度，且目标是于2018年夏季完成第一阶段建设。此外，东芝还计划紧邻新的晶圆厂建造一栋新建筑物——内存研发中心(Memory R&D Center)。这将使得目前在不同地方开展的研发活动集于一处，该举措将促进闪存开发。

新晶圆厂的总容量和整体设备投资、生产启动、产量和生产计划相关的决定将反映市场趋势。

东芝期望在与西部数据(Western Digital)就新工厂开展讨论的基础上，继续联合投资于并运营该闪存合资公司。

该新晶圆厂将采用减震结构和环保设计，包括整栋建筑物内安装LED照明，以及最新的节能制造设备。此外，它还将推出使用人工智能(AI)来提高生产力的先进生产系统。

展望未来，东芝将通过响应市场趋势开展及时投资，以及开发BiCS FLASH™和新一代内存，来拓展其内存业务，并提升竞争力。

注释：
[1] 将闪存单元堆叠于硅衬底上的结构。它可在整个平面NAND闪存中显著提高密度，而各单元可在这种闪存中的硅衬底上成型。
* BiCS FLASH是东芝公司的商标。

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