扩大低电压“U-MOS IX-H系列”MOSFET产品阵容
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日推出了40V和45V新产品，扩大其“U-MOS IX-H系列”低电压N沟道功率MOSFET产品阵容，这些新产品提供业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。这些新产品包括9款40V产品和5款45V产品，它们适用于工业和消费应用，包括高效率直流-直流转换器、高效率交直流转换器、电源和电机驱动。出货即日启动。
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新的MOSFET利用东芝最新一代低电压沟槽结构U-MOS IX-H工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。新结构降低了“RDS(ON) * Qsw”[2]的性能指标，将开关应用提高到新的高度，超越了东芝现有产品[3]。通过减小输出电荷，实现输出损耗改善，有助于提高装置效率。此外，新MOSFET所使用的元结构经过优化，可抑制开关切换期间的尖峰电压和瞬时振荡，有助于降低装置电磁干扰(EMI)。
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新MOSFET产品阵容及主要规格： |
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（除非另作说明，Ta=25℃） |
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产品型号 |
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极性 |
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绝对最大 |
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漏源极 |
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栅极 |
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输出 |
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栅极 |
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输入 |
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封装 |
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漏 |
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漏极 |
@VGS=10 V |
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@VGS=4.5 V |
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TPH7R204PL[4] |
N沟道 |
40 |
48 |
7.2 |
9.7 |
24 |
16 |
6.9 |
1570 |
SOP Advance |
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|
TPH6R004PL[4] |
49 |
6.0 |
8.4 |
30 |
20 |
9 |
2100 |
SOP Advance |
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|
TPH3R704PC[4] |
82 |
3.7 |
5.8 |
47 |
28 |
14 |
2780 |
SOP Advance |
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|
TPH2R104PL[4] |
100 |
2.1 |
3.1 |
78 |
46 |
21 |
4790 |
SOP Advance |
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|
TPHR8504PL[4] |
150 |
0.85 |
1.4 |
103 |
85.4 |
23 |
7370 |
SOP Advance |
||||||||||||
|
TPN7R504PL[4] |
38 |
7.5 |
10 |
24 |
16 |
6.9 |
1570 |
TSON Advance |
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|
TK3R1E04PL[4] |
100 |
3.1 |
3.8 |
63.4 |
42 |
17.5 |
4670 |
TO-220 |
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|
TK3R1A04PL[4] |
82 |
3.1 |
3.8 |
63.4 |
42 |
17.5 |
4670 |
TO-220SIS |
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|
TPWR8004PL[4] |
150 |
0.80 |
1.35 |
103 |
85.4 |
23 |
7370 |
DSOP Advance |
||||||||||||
|
TPN3R704PL |
80 |
3.7 |
6.0 |
27 |
20.2 |
8.1 |
1910 |
TSON Advance |
||||||||||||
|
TPN2R304PL |
80 |
2.3 |
4.0 |
41 |
27 |
10.8 |
2750 |
TSON Advance |
||||||||||||
|
TPH3R704PL |
92 |
3.7 |
6.0 |
27 |
20.2 |
8.1 |
1910 |
SOP Advance |
||||||||||||
|
TPH1R204PL |
150 |
1.24 |
2.1 |
74 |
56 |
17 |
5500 |
SOP Advance |
||||||||||||
|
TPH2R805PL[4] |
45 |
100 |
2.8 |
3.9 |
73 |
55 |
22 |
3980 |
SOP Advance |
|||||||||||
|
TPH1R405PL[4] |
120 |
1.4 |
2.3 |
74 |
67 |
22 |
4830 |
SOP Advance |
||||||||||||
|
TPH1R005PL[4] |
150 |
1.04 |
1.7 |
122 |
98 |
34 |
7700 |
SOP Advance |
||||||||||||
|
TPN2R805PL[4] |
80 |
2.8 |
5.0 |
39 |
32 |
12 |
2450 |
TSON Advance |
||||||||||||
|
TPW1R005PL[4] |
|
|
|
150 |
|
0.99 |
|
1.65 |
|
122 |
|
98 |
|
34 |
|
7700 |
|
DSOP Advance |
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主要特性
-
业界领先[1]的低导通电阻
RDS(ON)= 0.80 mΩ（最大值）＠VGS= 10V (TPWR8004PL)
RDS(ON)= 0.99 mΩ（最大值） ＠VGS= 10V (TPW1R005PL) - 低输出电荷
- 高速性能
- 低开关噪声
- 支持4.5V逻辑电平驱动
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注 |
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[1] |
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在具有相同额定功率的产品类别中，截至2016年12月9日。东芝调查。 |
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[2] |
RDS(ON):漏源极导通电阻 |
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Qsw:栅极开关电荷 |
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[3] |
使用上一代U-MOS VIII-H工艺的东芝产品 |
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[4] |
新产品 |
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有关新产品和东芝低电压功率MOSFET产品阵容的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html
客户垂询：
功率器件销售与营销部
电话：+81-3-3457-3433
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
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关于东芝
东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域：更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务；保持生活质量的基础设施业务；以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝竭力推动全球业务，并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。
东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）
有关东芝的更多信息，请访问www.toshiba.co.jp/index.htm
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东芝：拥有业界领先低导通电阻的40V/45V N沟道功率MOSFET（照片：美国商业资讯）
