东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社今日宣布推出 “TCK401G”（高电平有效[1]）和 “TCK402G”（低电平有效[2]）N沟道MOSFET驱动器，该产品支持最高可达28V的输入电压，因此适合于快速充电和需要大电流电源的其他应用。新MOSFET驱动IC的批量发货即日启动。
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新的TCK401G和TCK402G具备多种内置保护功能，包括过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能，但依然采用业界领先的WCSP6E小型封装，尺寸为0.8mm × 1.2mm × 0.55mm（典型值）[3]。
可利用一个配有外部N沟道MOSFET的驱动器实现高效率电源电路，其中该MOSFET具备适合于目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如，新型MOSFET驱动器和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET相结合适合于移动和消费应用，因为其可在较小空间内构建100W级电源电路。
应用场合
• 移动设备
• 消费设备
特点
输入工作电压范围宽：VIN_opr =2.7-28 V
WCSP6E小型封装：0.8×1.2 mm，t:0.55mm（典型值）
过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能
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主要规格 |
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项目 |
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TCK401G |
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TCK402G |
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绝对最大额定值 |
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输入电压VIN (V) |
40 |
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电气特性 |
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输入工作电压VIN (V) |
2.7-28 |
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输入静态电流IQ(ON)典型值(μA) |
121 |
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栅极驱动电压 |
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VIN=3V |
4 |
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VIN=5V |
6.5 |
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VIN=9V |
6.5 |
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12V≦VIN≦28V |
8.5 |
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VGATE导通时间 |
0.58 |
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VGATE断路时间 |
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16.6 |
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注：
[1] 当模式控制输入端子处于高态时，则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于低态时，则外部MOSFET断路。
[2] 当模式控制输入端子处于低态时，则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于高态时，则外部MOSFET断路。
[3] 一种N沟道MOSFET驱动IC，截至2017年9月27日。东芝电子元件及储存装置株式会社调查。
[4] 自VCT达到VIH值一半之时起，VGATE达到规定值所耗时间。
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关于东芝电子元件及储存装置株式会社
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公司遍布全球的1.9万名员工同心一致，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。我们期望基于目前超过7000亿日元（60亿美元）的年度销售额，致力于为全球人类创造更加美好的未来。
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