东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。
此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
SSM6N357R集成有下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外，由于该产品采用双列直插式封装（二合一），与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单列直插式封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。
SSM6N357R采用行业标准的TSOP6F级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，因此适合于汽车和许多其他应用。
应用场合
- 汽车应用的继电器和螺线管控制
- 工业应用的继电器和螺线管控制
- 办公设备离合器控制
特点
- 节省电路板空间且元器件数量减少（实现了下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管的集成。）
- 3.0V的低工作电压
- 双列直插式封装（二合一）
- 通过AEC-Q101认证
|
|
||||||
|
主要规格 |
||||||
|
(@Ta=25°C) |
||||||
|
项目 |
|
特性 |
||||
|
绝对最大额定值 |
|
漏源极电压 VDSS (V) |
60 |
|||
|
栅源极电压 VGSS (V) |
±12 |
|||||
|
漏极电流 ID (A) |
0.65 |
|||||
|
电气特性 |
漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值(m) |
|
|VGS|=3.0V |
2400 |
||
|
|VGS|=5.0V |
1800 |
|||||
|
栅极总电荷 Qg典型值(nC) |
1.5 |
|||||
|
输入电容 Ciss典型值(pF) |
43 |
|||||
|
封装 |
|
TSOP6F |
|
2.9mm×2.8mm；t=0.8mm |
||
|
|
||||||
有关东芝电子元件及存储装置株式会社最新小型低导通电阻MOSFET的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
客户垂询：
小型信号器件销售与营销部
电话：+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月从东芝公司完成拆分以来，我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
公司遍布全球的1.9万名员工同心一致，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。我们期望基于目前超过7000亿日元（60亿美元）的年度销售额，致力于为全球人类创造更加美好的未来。
有关公司的更多详情，请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
原文版本可在businesswire.com上查阅：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
联系方式：
媒体垂询：
东芝电子元件及存储装置株式会社
Chiaki Nagasawa，+81-3-3457-4963
数字营销部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
东芝电子元件及存储装置株式会社：“SSM6N357R”，面向继电器驱动器的小型双MOSFET。（照片：美国商业资讯）
东芝电子元件及存储装置株式会社：等效电路（图示：美国商业资讯）
