东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。
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100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高静电放电抗扰度为这一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。
应用场合
- 汽车LED前照灯驱动器
特点
- 小型封装
- 高效静电放电保护
- 低RDS(ON)
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主要规格 |
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(@Ta=25℃) |
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项目 |
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SSM6N813R |
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绝对最大额定值 |
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漏源极电压 |
100 |
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栅源极电压 |
+/-20 |
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漏极电流 |
3.5 |
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电气特性 |
漏源极导通电阻 |
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VGS=10V |
112 |
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VGS=4.5V |
154 |
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输入电容 |
242 |
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封装 |
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TSOP6F |
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2.9mm×2.8mm；t=0.8mm |
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东芝：搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。（照片：美国商业资讯）
东芝：双MOSFET“SSM6N813R”标记电路和等效电路（图示：美国商业资讯）
