加州弗里蒙特--(美国商业资讯)--领先的磁存储器(MRAM)公司Spin Transfer Technologies, Inc.今天宣布任命彭安为大中華區业务发展副总裁。

在大中華地區建立和发展新业务以及与電子公司建立联盟和新伙伴关系方面，彭安拥有超过28年的经验，他因与中國政府的商业决策者、投资界和電子公司之间的牢固关系而备受尊敬。他曾在半導軆公司和与半導軆相关的公司担任过各种工程和领导职务。彭安最近一次的任职是担任通富微電子股份有限公司(Tongfu Microelectronics Co., Ltd.)首席战略官兼北美和欧洲业务发展副总裁，负责开发新业务和管理并购机会。在加入通富微電子之前，他曾就职于捷敏電子股份有限公司(GEM Services, Inc.)、茂矽電子股份有限公司(Mosel Vitelic Corp.)，日立半導軆（美國）公司(Hitachi Semiconductor (America) Inc.)、Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)和美國國家半導軆公司(National Semiconductor)。

彭安还将负责组建联合電子设备工程委员会(JEDEC)中國委员会，与参与制定开放行业标准的中國電子公司和相关组织合作以建立中國存储器生态系统。他拥有圣何塞州立大学的電机工程学硕士(M.S.E.E.)和工商管理硕士(M.B.A.)学位，并曾任该校工程学院的数字和模拟工程实验室课程讲师。

Spin Transfer Technologies业务发展高级副总裁Jeff Lewis表示：“Andrew拥有在大中華區拓展业务的成功经历，也与中國存储器生态系统、政府决策者和投资者建立了良好的关系，这将为STT带来巨大价值。他在存储器电路和器件以及DRAM规范开发方面拥有广泛的背景，包括TSV技术、NVDIMM-P和DDR。我很高兴他加入我们的团队。”

彭安表示：“半導軆行业正面临独特的挑战，嵌入式SRAM和DRAM的发展已到达极限，而电子行业需要更小、更快、更可靠的存储器。Spin Transfer Technologies正在实现业界最快、耐久度最高的MRAM解决方案。我非常高兴加入这个团队，帮助提升该公司的突破性技术在大中華區的知名度和应用。”

关于Spin Transfer Technologies

Spin Transfer Technologies, Inc.致力于开发STT-MRAM技术，通过结合先进的磁性技术、电路和存储器架构来创造业界成本最低、性能最高的STT-MRAM存储器。公司的颠覆性STT-MRAM解决方案旨在取代嵌入式SRAM和DRAM。本公司由Allied Minds和纽约大学发起成立。欲了解更多信息，请访问www.spintransfer.com。

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