基于市场应用经验所开发出来的首款采用4V门坎驱动的氮化镓晶体及全新电源系统开发方案

加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)--业界最高可靠性及率先符合JEDEC和AEC-Q101标准的氮化镓（GaN）半导体设计和制造的领导者Transphorm Inc.今天宣布推出其第三代(Gen III）650伏（V）GaN FET。 采用Gen III技术的功率晶体，可降低电磁干扰（EMI），提高栅极噪声抑制能力，在于电路应用中可提供更大的设计余量。

此屡获殊荣的平台，其改革起源于Transphorm团队与客户共同合作于生产或即将发布的终端产品设计所获得的知识。即将发布的Gen III组件包含TP65H050WS 50mΩFET和TP65H035WS 35mΩFET，两者均采用标准TO-247封装。

Transphorm丰富的客户合作经验=产品开发的优势

Transphorm是唯一拥有开发FET中各种阶段所需之关键技术的GaN半导体公司之一。有鉴于此，在借助Gen I及Gen II的平台和客户共同开发设计时所获知识能被应用于GaN on-Si技术，以提高晶体管的质量、可靠性和性能。经由所汇集的数据还能促进开发技巧，简化设计的复杂度，提高安全质量和/或进一步增进电源系统的性能。

进一步地探究迈向Gen III所带来的机会主要有二：大幅增加GaN技术本身固有的优点并增强了FET的性能。 此外，设计和制造的创新使Transphorm能够降低组件价格，创造更佳的投报率。

就技术上而言，新型MOSFET与其它设计修改的结合使Gen III组件能够提供：

• 将Gen II的栅极门坎电压（噪声抗扰性）从2.1 V提高到4 V，无需使用负压栅极驱动。
• 栅极可靠性额定值为±20 V；比第二代增加11％。

因此，切换更安静，同时此平台可简化外部电路并可操作于更高的电流水平和实现更好的性能。

关于已获悉到的一些设计技术，Transphorm在其 app note 0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs 发布了妥善用于抑制振荡的解决方案。 范例中建议使用包括直流链RC缓冲器和开关节点RC缓冲器，上述对策增加了稳定性且不会对效率产生不利影响。值得注意的是，上述解决方案可以使半桥和无桥式图腾柱PFC拓扑受益。

“根据客户需求和实际经验进化发展我们的GaN技术对我们来说非常重要。 我们的Gen III FET体现了我们坚持这一基本理念的可能性。”Transphorm技术营销副总裁Philip Zuk表示。

“我们带来了一种更安全，更具成本效益的高电压GaN FET。 我们相信这些产品将被客户视为新一代的功率半导体，提供无与伦比的效率，高功率的处理能力和其它易于使用的性能优势。”Transphorm资深工程副总裁Yifeng Wu博士补充道。

Gen III 650 V产品线详情

供货状况：目前出货中

• TP65H050WS 50 mΩ TO-247单价：8.86美元 (以1000个单位批量计算单价)
• TP65H035WS 35 mΩ TO-247单价：11.55美元 (以1000个单位批量计算单价)

最佳输出额定值：1.5 kW至5.0 kW 取决于各种不同应用的设计方式

市场应用：

• 工业系统电源应用
• 数据中心
• 商用电源
• 可再生能源

设计资源：

• 规格书
• 测试评估套件
• SPICE模型
• 高质量的白皮书

欢迎体验 GaN 的创新！

Transphorm 设计、制造并销售用于高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的 GaN 半导体。Transphorm 拥有全球最多的 Power GaN IP (全球超过1000 多个已发布和审核中专利），生产业界唯一获得 JEDEC 和 AEC-Q101 认证的 GaN FET。这来自于在每个阶段进行创新的垂直整合业务方式：材料和组件设计、制造、线路整合、封装、参考电路设计和应用支持。Transphorm：让电力电子应用超越硅的极限。网站：transphormusazn.com Twitter：@transphormusa

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