平台将为电池充电器以及PC、服务器和游戏机电源带来99％的PFC效率
加州戈利塔--(美国商业资讯)--Transphorm Inc.设计和制造率先通过JEDEC和AEC-Q101认证的业界最可靠氮化镓(GaN)半导体，是该领域的领军企业。公司今日宣布，海韵电子工业股份有限公司(Seasonic Electronics Co.)在其新型1600瓦(W)无桥式图腾柱功率因数校正(PFC)平台：1600T上使用了Transphorm的高电压(HV) GaN FET。迄今为止，1600T是该电源制造商性能最高的PFC平台，效率高达99％以上。尤其是与海韵电子上一代硅基平台相比，引入GaN使得效率提高了2%，功率密度增加了20%。
1600T平台具有可扩展性，可在各类目录产品中进行部署，适用于充电器（电动踏板车、工业级充电器等）、游戏机、服务器以及PC电源市场等。
海韵电子研发总监Paul Lin表示：“在我们研究能使公司达到世界领先效率水平的半导体技术时，氮化镓作为极具吸引力的硅替代品脱颖而出。我们深知需要在公司的第一个高电压GaN电源平台中使用无桥式图腾柱PFC拓扑结构。因此，我们需要能够成功使用该拓扑结构的功率半导体。此外，我们还需要一个能获得公司标准保修支持的GaN解决方案。鉴于其经过验证的性能与可靠性能使我们满足这些要求，公司最终在1600T平台中选择了Transphorm的FET。”
充满信心的设计：Transphorm Q+R
该1600T平台采用Transphorm的TP65H035WS器件，该产品为650 V GaN FET，采用标准TO-247封装，RDS(on)值为35mΩ。该晶体管在软硬开关电路中实现了更高的效率，为电源系统工程师提供了设计产品时的更多选择。此外，TP65H035WS可与常用栅极驱动器配套使用，用于在控制成本的同时简化设计。
在开发GaN平台和FET时，Transphorm优先考虑质量和可靠性(Q+R)。这一优先考虑效果十分显著，为设计人员提供了更高的安全性；与市面上的其他GaN FET相比，Transphorm GaN通常可提供更大的净空高度与更强的抗噪声性。TP65H035WS的典型栅极阈值为 4 V（最大栅极电压为±20 V）。
由于相对而言，GaN在高电压应用领域中尚属新鲜事物，除技术本身之外，Transphorm还提供深入的现场应用支持和实际操作培训。海韵电子借助这家半导体公司的专家之力，帮助其加强自身的设计，同时缩短了上市时间。
例如，Transphorm提供的指导可帮助海韵电子公司团队利用简单、低成本的数字信号处理器(DSP)来控制图腾柱PFC。此外，Transphorm还在该平台的元件选择与系统布局方面提供了帮助，确保呈现最优的GaN性能。最终，双方的联合开发对海韵电子公司提高热效率同时增加功率输出的能力产生了直接影响：成功打造出能够实现海韵电子公司愿景的HV GaN平台。
关于海韵电子工业股份有限公司
海韵电子是一家真正的全球化公司。公司总部位于台湾台北，我们将本公司的产品从中国的工厂出口至美国、欧洲、日本以及世界各地。作为创新领域的领先企业，本公司专注于用最符合经济效益的方法为所有客户带来最先进的技术，以满足客户对结合市场领先的性能与整体可靠性的尖端功能的需求。尽管IT行业的激烈竞争让我们面临持续挑战，但同时也增强了我们保持公司龙头企业地位的决心。如今，海韵电子已成为高效能、高品质、高可靠度产品的代表。我们的设计和工程团队热衷于创建新的解决方案，积极响应客户的需求并及时跟进最新的市场趋势。
关于Transphorm
Transphorm (www.transphormusazn.com)设计、制造并销售用于高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的 GaN 半导体。Transphorm 拥有全球最多的 Power GaN IP（全球超过1000 多个已发布和审核中专利），生产业界唯一获得 JEDEC 和 AEC-Q101 认证的 GaN FET。这来自于在每个阶段进行创新的垂直整合业务方式：材料和组件设计、制造、线路整合、封装、参考电路设计和应用支持。
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