新一代3D闪存增加层数，提高容量，扩展带宽

东京--(美国商业资讯)--内存解决方案领域的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今日宣布，该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。铠侠计划开始在2020日历年第一季度为特定应用出货新设备的样品，该设备采用512 Gb（64千兆字节）容量及每单元3位（三级单元，TLC）技术^*1。这款新设备旨在满足对各种应用不断增长的位需求，包括传统移动设备、消费类和企业固态硬盘(SSD)、新的5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶车辆。

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展望未来，铠侠将其新的第五代工艺技术应用于更大容量的设备，例如1 TB（128千兆字节）TLC和1.33 TB每单元4位（四级单元，QLC）设备。

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将电池阵列密度提高约20%。新技术不仅降低每位成本，而且提高每个硅晶圆的存储容量的可制造性。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的编程性能和更短的读取延迟。

自2007年宣布推出全球首个^*2原型3D闪存技术以来，铠侠一直在推进3D闪存的开发，并积极推广BiCS FLASH™，以满足对更小芯片尺寸和更大容量的需求。

第五代BiCS FLASH™是与技术和制造合作伙伴西部数据公司(Western Digital Corporation)共同开发的。它将在铠侠的四日工厂和新建的北上工厂生产。

注：
1. 并非所有功能都已经过测试，且设备特性将来可能变更。
2. 来源：铠侠株式会社，截至2007年6月12日。
* 本文提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关于铠侠

铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于以存储器来提升世界，提供的产品、服务和系统可为客户创造选择，同时为社会创造基于存储器的价值。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。

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铠侠控股株式会社
Kota Yamaji
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kioxia-hd-pr@kioxia.com

5th-Generation BiCS FLASH(TM) (Photo: Business Wire)