新一代高压GaN器件成本更低，性能更高，设计更简单
戈利塔，加利福尼亚州--(美国商业资讯)--设计和制造高可靠性、并率先获得JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓（GaN）功率半导体器件的领先公司Transphorm，Inc.今天宣布推出其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比，Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显着进步。Transphorm今日还宣布，其第四代及以后的平台都将相应地被称为SuperGaNTM技术。
Transphorm公司SuperGaN系列的第一款通过JEDEC认证的器件是TP65H300G4LSG。这是一颗650V GaN FET，采用PQFN88封装，导通电阻为240毫欧。第二款SuperGaN器件是TP65H035G4WS，同样为650V GaN FET，采用TO-247封装，导通电阻为35毫欧。这些器件目前正处于提供样品阶段，并将分别在第二季度和第三季度发布。它们的目标应用包括适配器、服务器、电信、广泛的工业和可再生能源。系统设计人员可以在Transphorm的4kW无桥式图腾柱AC-DC评估板TDTTP4000W066C-KIT中评估这项技术。
SuperGaNTM技术与众不同之处
在设计第四代产品时，Transphorm的工程团队借鉴了先前产品生产记录的经验，并不断追求提高性能、可制造性和降低成本，从而设计出归于至简又具备实质性改进的新产品。 新平台专利技术的优势在于增强了Transphorm GaN固有的高性能，简化了组装和应用，这将是促成SuperGaNTM品牌成功的催化剂。
在其专利技术的推动下，SuperGaN Gen IV的优势包括：
- 提升了性能：第四代产品的效率曲线更平坦、取值更高，其FOM优异度（RON * QOSS）提高了大约10个百分点。
- 设计更简单：高工作电流下不再需要使用开关节点缓冲电路，简化了第四代产品在设计中的应用。
- 增强了抗浪涌电流的能力：消除了半桥中内置续流二极管功能对开关电流的限制。
- 降低了器件成本：第四代产品的设计创新和专利技术同样简化了器件的封装，从而降低了成本，使TransphormGaN的价格更接近于硅晶体管。
- 经过验证的稳定性/可靠性：第四代35毫欧FET的栅极稳定性和抗扰度与Transphorm第三代器件相同，均为+/- 20 Vmax和4 V。
Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“我们希望Transphorm的SuperGaNTM FET像硅基超结MOSFET的发展一样，继续影响下一代电力电子产品。通过提供更出色的性能，并提高用户的整体投资回报率，我们的第四代GaN平台正在其它功率等级上创造新的设计机会。我们能够在不牺牲可靠性的情况下减少损耗，并将初始设备投资降低到接近用户之前使用硅基产品时的水平，这表明，GaN在市场上的地位正在强化。”
Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓[GaN]半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1,000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。
SuperGaN是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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