传输速度为400Gbps的KP-H KPDEH12L-CC1C将于2020年11月开始量产
东京--(美国商业资讯)--京都半导体股份有限公司（Kyoto Semiconductor Co., Ltd.，总部位于日本京都）开发了一款高速光电二极管KP-H KPDEH12L-CC1C，以支援数据中心内部和数据中心之间使用脉冲幅度调制4 (PAM4)的400Gbps传输系统。随着此款InGaAs光电二极管的推出，我们将持续支援5G及其以上传输系统不断增长的超高速及大容量需求。量产将于2020年 11月开始。
KP-H KPDEH12L-CC1C的主要特点
(1) 高速化的实现
安装PD的载体尺寸以及放置在载体上的高频电极图案的宽度和长度利用电磁仿真（注2）进行了优化。因此，我们通过集成的跨阻抗放大器 实现了世界一流的400Gbps和40GHz频段。KP-H光电二极管已通过通信设备的标准可靠性测试Telcordia GR-468-Core。
(2) 易于应用
KPDEH12L-CC1C安装在经过优化设计以实现高频的载体上。光电二极管背面（注3）搭载集成聚镜，以便入射光聚集在光吸收区 域，使光纤与PD对准变得容易。PD芯片安装在尺寸为芯片本体两倍大小的载体上。
开发背景
目前传输速度的主流虽为将1线路25Gbps以四线路提供100Gbps，然而市场对400Gps至800Gbps传输速度 的需求却也不断增长。
电气和电子工程师协会(IEEE)制定的PAM4标准是4位信号对应一次调制。每个PD的传输速度达到50Gps（= 400Gps /4通道/2 (PAM4)）。PD达到此速度所需的传输带宽为35~40GHz。
如需了解更多信息，请访问https://www.kyosemi.co.jp/en/lp/kpdeh12l-cc1c
关于京都半导体
京都半导体(Kyoto Semiconductor)于1980年在京都成立，是一家专门的半导体制造商。所制造的半导体具有卓越的性能和精度，适用于光传输。所有产品都在我们位于日本的工厂进 行端到端制造，包括前段制程和后段制程，并使用了京都半导体的独特封装技术，将产品供应至世界各地。基于日本品质和对生产细节的关 注，京都半导体以光学设备解决方案的世界水準技术引领业界。
注
1) 4级调制方法8PAM 4（脉冲幅度调制4）
该方法在一次调制中不是加载2位信息{0, 1}，而是加载4位信息{0, 1, 2, 3}。这种方法可以传输两倍于常规方法的信息。
2) 载体
在安装了PD的电路板表面绘制出高频衰减极小的图案。载体尺寸为0.6 x 0.48 x 0.25 t mm。
3) 聚光镜
该图是PD芯片的示意图。聚光镜内置在光入射面、让光进入其中、然后高效率地使光聚集在一个小的光吸收层的表面中。
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KP-H High-speed Photodiode KPDEH12L-CC1C (Graphic: Business Wire)
Note 1) 4- level modulation method 8PAM 4 (Pulse Amplitude Modulation 4) (Graphic: Business Wire)
Note 2) Carrier (Graphic: Business Wire)
Note 3) Condenser lens (Graphic: Business Wire)
