2021年1月开始为一家多芯片模块制造商量产与发 货
东京--(美国商业资讯)--为了实现运用于下一代半导体封装器件的特殊玻璃载体HRDP®1的商业化，三井金属矿业 株式会社(Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.)（总裁：Keiji Nishida；下称“三井金属”）一直与吉奥马科技(GEOMATEC Co.，Ltd.)（总裁：Kentaro Matsuzaki）合作，共同扩建大规模生产系统。三井金属今天欣然宣布，该公司已开始为日本国内一家多芯片模块制造商批量生产HRDP®。
三井金属在2018年1月的新闻稿中宣布开发HRDP®，这是一种基于RDL First方法2， 使用玻璃载体为扇出型(Fan Out)面板级封装创建超细电路的材料。
HRDP®是一种特殊的玻璃载体，能够实现下一代半导体封装技术扇出封装3的高效生 产，包括使用2/2μm或以下4的线宽/线距(L/S)比设计的超高密度电路。目前有20多家客户正在对 HRDP®的商业化进行评估。
第一阶段是从2021年1月开始，为日本国内一家多芯片模块制造商进行批量生产。该客户将使用HRDP®生产 将来不断扩大的5G市场制造元器件，包括RF模块5和各种应用的其他器件，并预期增加销售额。
在第二阶段，一家先进的海外封装制造商计划在2021财年采用HRDP®。
此外，公司还计划为其他新客户的各种应用启动量产，例如2022财年及以后的HPC6和手机，而且预期 HRDP®市场将进一步扩大。
三井金属将以“材料智能”为口号，帮助客户实现愿望，确保稳定的质量和充足的供应，为客户提供一站式解决方案并努力帮助他们扩大市场 份额。
名词解释
1 High Resolution De-bondable Panel的缩写
2 Re-Distribution Layer First方法：在完成形成重布线层的流程之后封装半导体芯片
3 扇出封装：无基板封装技术，将超细重布线层扩展到芯片尺寸之外
4 L/S=2/2 µm：线宽2 µm，相邻线路间距2 µm。
5 射频模块：配备多个有源组件（IC芯片）和无源组件（SAW、电容器、电阻器和线圈）并密封的产品
6 高性能计算：具有大规模、超高速计算/处理能力的计算机
参考文献
“开发HRDP®材料以使用玻璃载体为扇出型面板级封装创建超细电路”（2018年1月25日的新闻稿）
https://www.mitsui-kinzoku.com/Portals/0/resource/uploads/topics_180125e.pdf?TabModule127
有关使用HRDP®的RDL First方法的视频
https://www.youtube.com/watch?v=vHhng-NV9QA
图片/多媒体库可从以下网址获得 : https://www.businesswire.com/news/home/52363593/zh-CN
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Exterior photograph of HRDP, in the 12-inch wafer type (Photo: Business Wire)
HRDP product diagram, in the wafer type (Graphic: Business Wire)
