东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，“东芝”）在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET：TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z。从今天开始批量出货。
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TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文(Kelvin)连接。这种设计可减小封装中源极线电感的影响，进而发挥MOSFET实现高速开关的性能，并抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术的结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进，以减小设备尺寸并提高效率。
注：
[1]具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2]截至2021年3月10日，东芝测得的数值（测试条件：VDD=400V, VGG=+10V/0V, ID=15A, Rg=10Ω, Ta=25℃）。
[3]仅限TK090U65Z
[4]截至2021年3月10日
[5]仅限TK065U65Z
应用
- 数据中心（服务器电源等）
- 光伏发电机用电源调节器
- 不间断电源系统
特性
- 纤薄、小巧的表面贴装封装
- 采用4引脚封装，可减少导通和关断的开关损耗
- 最新[4]一代DTMOSVI系列
主要规格
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(Ta=25°C) |
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器件型号 |
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封装 |
名称 |
TOLL |
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|
尺寸典型值
(mm) |
9.9x11.68, t:2.3 |
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|
绝对最大额定值 |
漏极
源极
电压
VDSS (V) |
650 |
||||
|
漏极
电流
(DC)
ID (A) |
38 |
30 |
24 |
18 |
15 |
|
|
漏源
导通电阻
RDS(ON)最大值(Ω)
@VGS=10V |
0.065 |
0.09 |
0.11 |
0.155 |
0.19 |
|
|
栅极电荷总量
Qg典型值(nC) |
62 |
47 |
40 |
29 |
25 |
|
|
栅极漏极电荷
Qgd典型值(nC) |
17 |
12 |
11 |
8 |
7.1 |
|
|
输入电容
Ciss典型值(pF) |
3650 |
2780 |
2250 |
1635 |
1370 |
|
|
结壳
热阻
Rth(ch-c)最大值(℃/W) |
0.462 |
0.543 |
0.657 |
0.833 |
0.961 |
|
|
常规系列(DTMOSIV)
器件型号 |
- |
- |
- |
TK20G60W[6] |
TK16G60W[6] |
|
|
样品查看与供货状态 |
||||||
注：
[6]VDSS＝600V，D2PAK封装
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TK065U65Z
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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东芝：采用TOLL封装的DTMOSVI系列650V超级结功率MOSFET（图示：美国商业资讯）
