基于第五代BiCS FLASH 3D闪存打造；为要求严苛的应用提供更轻薄的外观和更快的读/写速度
东京--(美国商业资讯)--全球存储器解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布推出新一代256GB和512GB通用闪存(UFS) 3.1版嵌入式闪存设备的样品。新产品封装高度分别为0.8和1.0毫米，随机读取性能提高约30%，随机写入性能提高约40%[1]，相比前代产品更轻薄[2]、速度更快。铠侠的新型UFS设备采用该公司的第五代BiCS FLASH™ 3D高性能闪存，面向包括高端智能手机在内的各种移动应用。
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很多采用嵌入式闪存的功耗和空间敏感型应用仍然需要较高的性能和存储密度，因此，UFS逐渐成为首选解决方案。从总容量的角度来看，与e-MMC相比，对UFS的需求量目前占绝大部分。据Forward Insights[3]的调查结果显示，在全球UFS和e-MMC GB的总体需求中，今年UFS的需求量几乎达到了70%，而且这一数字还将继续增长。
| 新的UFS 256GB和512GB设备包括以下改进： | |
| ● | 随机读取性能增加约30%，随机写入性能增加约40%。 |
| ● | 主机性能提升器(Host Performance Booster, HPB)2.0版：利用主机端内存将逻辑存储到物理转换表，从而提高随机读取性能。HPB 1.0版只支持4KB大小地址块的访问，而HPB 2.0版支持更大范围的访问，可进一步提高随机读取性能。 |
| ● | 更薄的封装，256GB高度仅为0.8毫米。 |
注
[1] 与铠侠上一代256/512GB UFS相比。
[2] 在256GB存储密度条件下，与铠侠上一代256GB UFS相比。
[3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度（2021年）
读写速度可能因主机设备、读写条件和文件大小而有所不同。
在提及铠侠产品时：产品密度是根据产品内存芯片的密度来确定的，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在开销数据区域、格式化信息、坏块和其他限制条件，用户可用容量将会减少，并且还可能因主机设备和应用程序而有所不同。详细信息请参阅适用的产品规格说明。1KB=2^10字节=1,024字节。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字节=1,073,741,824字节。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。
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关于铠侠
铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存， 2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离，开创了先进的存储解决方案和服务，可丰富人们的生活并扩大社会的视野。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。
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铠侠株式会社：3.1版UFS嵌入式闪存设备（照片：美国商业资讯）
