- 两家公司将继续保持强大的伺服和工业电机驱动器开发合作伙伴关系 -

加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，安川电机(Yaskawa Electric)已将其价值1560万美元的Transphorm可转换债券以每股5.00美元的价格100%转换为Transphorm普通股。安川电机是世界领先的中低电压变频驱动器、伺服电机、机器控制器和工业机器人制造商，年营收超过37亿美元。

Transphorm和安川电机将根据此前公布的多年期合作伙伴关系继续合作，开发用于机器人和运动控制以及更广泛的工业和白色家电应用领域的伺服驱动器氮化镓产品。安川电机打算将Transphorm领先的氮化镓功率器件产品用于各种创新型工业功率转换应用，最初将用于伺服电机和变频驱动应用。

安川电机首席技术官兼常务执行官Akira Kumagae在评论此次公告时表示：“我们很高兴成为Transphorm的股东，我们将继续合作开发具有高可靠性、更高功率的氮化镓产品，这些产品适用于各种运动控制应用。Transphorm的氮化镓FET解决方案将使打造更高频率的高效氮化镓功率器件和模块成为可能，而这些器件和模块也将满足短路保护功能等严苛的系统要求。”

Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra评论道：“Transphorm非常重视与安川电机的长期合作关系，很高兴能增加像安川这样的全球运动控制和机器人领域的领先企业作为我们的战略股东。我们感谢他们以每股5.00美元的价格将1560万美元的Transphorm债券转换为Transphorm股票所表现出的信心。安川电机将继续帮助Transphorm氮化镓路线图取得关键发展，为工业和电机控制市场打造高性能功率器件。”

根据公平市场价值估计，此次Transphorm债券转换还会为Transphorm的资产负债表增加1700多万美元的正股东权益。此次投资后，安川电机将拥有约310万股的Transphorm股份，约占该公司7%的股权。

Transphorm联合创始人兼总裁Primit Parikh表示：“此次股权转换显著加强了我们的资产负债表，是公司实施此前公布的普通股在纳斯达克上市计划的一大关键贡献因素。此举也体现了Transphorm领先的高压氮化镓平台的实力，我们的产品应用范围从45瓦到10千瓦，具有极高的质量和可靠性水平。到目前为止，我们还没有看到任何其他具有竞争力的氮化镓平台能够覆盖如此广泛的功率级别或应用领域，或者实际投产，很多其他的现有氮化镓产品，如‘IC’，通常都限制在500瓦以下。”

TGAN技术助力市场发展
Transphorm的专利氮化镓平台在满足功率转换应用性能要求的很多关键方面都与竞品解决方案不同——从45瓦快速充电器/适配器到1至4千瓦游戏、数据中心服务器以及加密挖矿电源，再到更高功率的工业、UPS，以及汽车变频器/逆变器应用领域。Transphorm是为数不多的垂直一体化高压氮化镓制造商之一，因此可以控制FET设计本身、外延起始原料和制造工艺的创新和进步。这带来了：

• 越来越多地应用于更低功率适配器和快速充电器领域：从2020年7月到2021年6月，采用紧凑型PQFN封装的SuperGaN^®第IV代平台单位出货量季度复合年增长率超过200%。此平台可提供经过验证的氮化镓器件优越性能以及与已经拥有集成驱动的标准控制器的兼容性，因此Transphorm氮化镓FET具有极为全面的设计和驱动灵活性，这是其他氮化镓产品（如e-mode或“IC”）无法轻而易举就能具备的，因为对它们来说，这需要额外的冗余驱动或接口电路。
• 游戏、服务器、加密挖矿和工业/能源应用领域的更高功率产品：基于Transphorm第III代和SuperGaN第IV代和第V代的单位出货量稳步增长，这些器件采用具有热优势的TO-247封装，这是一个被广泛接受和使用的封装配置。Transphorm的氮化镓和客户的解决方案（如钛金级效率的电源）很多年来已经在这些领域树立了标杆。目前，这种强大的封装配置在对于e-mode或“IC”氮化镓类型的产品来说都是不可能的，因为相应的氮化镓器件对标准引脚封装中的损坏存在固有的敏感性。
• 一流的质量和可靠性，以及高产量重现性：超过200亿小时的Transphorm FET现场可靠性数据证明，FIT率小于0.4，这意味着在现场失效的概率小于每十亿小时1次。Transphorm在其AFSW晶圆厂控制的专有制造工艺可提供与同一晶圆厂硅产量相匹配的高产量。

关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，该公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和在微信@Transphorm_GaN上关注我们。

前瞻性陈述
本新闻稿包含有关该公司的技术和产品、市场对氮化镓技术的接受度以及该公司在研产品和未来预期增长方面的前瞻性陈述（包括修订版《美国1934年证券交易法》和修订版《美国1933年证券法》第27A条界定的陈述）。前瞻性陈述通常包括具有预测性质的陈述，这些陈述取决于或引用未来的事件或条件，而且包括诸如“可能”、“将”、“应当”、“将要”、“期望”、“计划”、“认为”、“打算”、“期待”之类的词语以及其他类似表达方式。前瞻性陈述是非历史事实的陈述。前瞻性陈述基于当前的信念和假设，这些信念和假设会受到风险和不确定因素的影响，并非未来业绩的保证。由于各种因素的影响，实际结果可能与任何前瞻性陈述中的结果大相径庭，这些因素包括但不限于：Transphorm运营相关的风险，例如额外的融资要求和获得资本的机会；竞争；Transphorm保护其知识产权的能力；以及该公司向美国证券交易委员会递交的文件中规定的其他风险。除非适用法律要求，否则无论是由于新信息的出现、将来事件或任何其它原因，该公司均无义务对任何前瞻性陈述进行修正或更新。

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