- TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET背对背连接 -
日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”，这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压，并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
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通过联合背对背连接的外部N沟道MOSFET，TCK421G适用于配置电源多路复用器电路或配备反向电流阻断功能的负载开关电路。它嵌入一个电荷泵电路，支持2.7V至28V的宽电压输入范围，并通过间歇式工作模式向外部MOSFET的栅源电压提供稳定的电压，从而实现大电流的通断。
TCK421G采用WCSP6G[1]封装，这是业界超小型封装之一[2]，实现了在可穿戴设备和智能手机等小型设备中的高密度安装，有助于减少设备的尺寸。
东芝将继续开发TCK42xG系列，并计划推出总共六个版本。TCK42xG系列的过压锁定功能将支持5V至24V的输入电压。该产品将支持5.6V和10V两种类型的栅极输出电压，用于匹配外部MOSFET的不同电压。过压锁定电压和栅极输出电压均可根据用户的设备需求选择。
注：
[1] 1.2mm x 0.8mm
[2] MOSFET栅极驱动集成电路。东芝调查，截至2022年2月。
应用
- 可穿戴设备
- 智能手机
- 笔记本电脑、平板电脑
- 存储设备等
新系列特点
- 栅源电压设置（5.6V，10V）取决于带内置电荷泵电路的输入电压
- 过压锁定支持5V至24V
- 低输入关断电流IQ(OFF)= 0.5μA（最大值）@VIN=5V，Ta= -40 至85°C
主要规格
| （除非另有约定，否则Ta=25°C） | |||
| 部件编号 | TCK421G | ||
| 封装 | 名称 | WCSP6G | |
| 尺寸(mm) |
1.2×0.8（典型值） t=0.35（最大值） |
||
|
工作 范围 |
输入电压VIN (V) | @Ta= -40 至 85°C | 2.7至28 |
| 电气 特性 |
VIN UVLO阈值，Vout 下降 VIN_UVLO典型值/最大值(V) |
@Ta= -40至85°C时VIN_UVLO 最大值 | 2.0/2.5 |
|
VIN UVLO滞后 VIN_UVhyst 典型值(V) |
– | 0.2 | |
|
VIN OVLO阈值，Vout下降 VIN_OVLO 最小/最大 (V) |
@Ta= -40至 85°C | 22.34/24.05 | |
|
VIN OVLO滞后 VIN_OVhyst典型值(V) |
– | 0.12 | |
|
输入静态电流 （通态）[3] IQ(ON)典型值(μA) |
@VIN=5V | 140 | |
| @VIN=12V | 185 | ||
|
待机电流 （关断） IQ(OFF)最大值(μA) |
@VIN=5V, Ta= -40 至 85°C | 0.5 | |
| @VIN=12V, Ta= -40 至 85°C | 0.9 | ||
|
栅极驱动电压 (VGATE1-VIN) (VGATE2-VIN) VGS最小值/典型值/最大值 (V) |
@VIN=2.7V | 8/9.2/10 | |
| @VIN=5V | 9/10/11 | ||
| @VIN=9V | 9/10/11 | ||
| @VIN=12V | 9/10/11 | ||
| @VIN=20V | 9/10/11 | ||
|
VGS导通时间 tON典型值(ms) |
@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF | 2.9 | |
|
VGS关断时间 tOFF典型值(μs) |
VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF | 52 | |
|
OVLO VGS关断时间 tOVP典型值(μs) |
@CGATE1,2=4000pF | 34 | |
| 样品查询和库存状况 | 在线购买 | ||
注：
[3] 不含控制端电流(ICT)。
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东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统 LSI和HDD产品。
公司在全球各地的2.2万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的合作，促进价值和新市场的共同创造。 东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过7,100亿日元（65亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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东芝：新的MOSFET栅极驱动集成电路TCK421G可助力缩小器件尺寸。（图示：美国商业资讯）
