东京--(美国商业资讯)--全球存储解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布，该公司凭借发明多层闪存的优化读取方法（专利号：4892307）获得了日本“全国发明表彰计划”(National Commendation for Invention)颁发的2022年发明奖。日本的国家发明表彰计划创始于1919年，致力于促进科学技术发展，并表彰具有杰出发明、创意和设计的行业。这是铠侠连续第三年获得这一著名项目的奖项。 

获奖者（均为铠侠员工）： 

• Mitsuaki Honma，存储事业部存储器设计管理部门首席专家 
• Noboru Shibata，存储技术研究与发展研究所设备技术研究与发展中心总经理助理

通过采用分配更加均匀的创新比特编码，铠侠的获奖技术可降低多层闪存中的预期最大错误率，并能够减少存储纠错代码(ECC)所需的芯片区域。此外，这项突破性的进展还改善了闪存的最大读取延迟。 

为应对当今数字社会对大容量存储日益增长的需求，闪存越来越向多层发展，即每个存储单元可以存储超过一个比特的数据。在每个存储单元中存储三个或更多比特数据的多层闪存需要更多的判定操作来判别存储单元的特定状态（阈值电压），以便读出数据。此外，在多层闪存中，不同位间分配的判定操作数量变化甚至更大，因此需要更高的纠错能力。在传统的位编码中，与读取其他位相比，读取特定位需要更多的判定操作（即更密集的读取）；这种编码导致读取这些位的复合错误增加。这意味着需要更多的芯片区域来存储因ECC数量增加而产生的数据。传统位编码中，判定操作数的增加也导致这些位的读取延迟增加。 

铠侠以“通过存储助力世界发展”为使命，致力于研究和技术开发，为世界各地的人们带来价值。 

关于铠侠

铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司分拆出来。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户提供选择，为社会创造基于内存的价值，从而用“内存”提升世界。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高容量应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。 

原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20220531006091/en/

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