新设计工具可加速两轮车辆市场设计导入发展，帮助系统工程师发挥SuperGaN场效应管的优势

加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)--坚固耐用氮化镓（GaN）功率半导体领域的全球领先企业Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今天宣布推出两种适用于电动汽车充电应用的新参考设计。300 W和600 W恒流/恒压（CC/CV）电池充电器使用该公司的70毫欧和150毫欧SuperGaN®器件，能够提供高效的交流到直流功率转换，并且功率密度高，成本低廉。这两款参考设计旨在实现2轮和3轮电动汽车充电器的大批量生产，其中印度和中国的年销量分别超过1400万和4500万部。这两款参考设计也可用于各种应用，包括快速充电、LED可调光驱动器、游戏机和高性能笔记本电脑。

Transphorm全球销售和FAE副总裁Tushar Dhayagude表示：“GaN在电动汽车市场的应用正在迅速推进。这在很大程度上是由于与碳化硅或硅等替代方案相比，该技术功率密度高，并采用高成本效益、高产量的制造工艺。具体来说，我们的SuperGaN器件在两轮和三轮车辆上取得了显著进展，比硅解决方案更具有系统和设备级的成本优势。基于客户一贯的设计要求，我们很高兴能够发布参考设计，帮助车载或非车载充电器制造商加快基于GaN系统的上市速度，从而提高下一代汽车的性能和整体可用性。”

CC/CV是什么？

恒流/恒压（CC/CV）锂离子电池充电法在充电初期采用恒流充电。当电池达到设定的充电水平时，在充电后期切换到恒压充电。这可确保电池不会过充。

开放式架构CC/CV交流转直流电池充电器

300 W和600 W的参考设计与SuperGaN场效应管和控制器在常见功率因数校正（PFC）和谐振LLC拓扑中相辅相成，互为补充，而LLC专为宽电池范围（从空到充满电）而设计。Transphorm的SuperGaN平台使电力系统开发人员能够最大限度发挥PFC+LLC的性能潜力，以低廉的成本发挥这些拓扑结构的最高效率。

该参考设计使用纯模拟控制器，而不是需要固件的数字控制器。这种配置具有多重优势，例如更容易设计且简化产品开发，这源自以下因素：

• 减少开发资源需求。
• 缩短开发时间。
• 无需繁琐的固件编程/维护。

注意：300 W参考设计包括额外的PWM输入端口，用于获取低于额定输出值的输出电流，从而为所有电池化学物质提供进一步的灵活性。

主要规格如下：

该参考设计运用Transphorm著名的SuperGaN FET，可提供如下显著优势：

• 业界领先的稳定耐用性，具备+/- 20v门限和4V抗噪力。
• 减少设备周围所需的电路数量，使设计更容易。
• FET可与硅器件常见的现成驱动器匹配，降低驱动难度。

获取参考设计

完整的300w和600w CC/CV电池充电器参考设计目前可从Transphorm获取。请访问以下链接下载技术文档、设计文件、固件和材料清单：

• TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD: https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-on-cccv-300w-rd/

• TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD: https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-mps-cccv-600w-rd/

为确保上述电池充电器的设计准确性，电力系统开发人员还应参考以下设计指南：

• 恒流/恒压（(CC/CV）应用于具有LLC输出阶段的电源适配器: https://www.transphormusa.com/en/document/design-guide-design-guide-11-constant-current-constant-voltage-application-for-llc/

有关设计工具包含的SuperGaN器件的更多信息，请访问以下URL：

• TP65H070G4PS
  650 V, 72毫欧GaN FET，采用TO-220 封装
  https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h070g4ps/

• TP65H150G4PS
  650 V, 150毫欧 GaN FET ，采用TO-220 封装
  https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h150g4ps/

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是GaN革命的全球领导企业。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性GaN半导体。Transphorm具有最大的功率GaN IP组合之一，拥有1000多项公司拥有或获得许可的专利。该公司生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101要求的高电压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备商业模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持等。Transphorm的创新使电力电子产品超越了硅的限制，实现了超过99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在戈利塔和日本艾祖设有制造业务。若要了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。请在Twitter @transphormasa和微信 @Transphorm_GaN上关注我们。

SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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